Dr. Jun Zeng
Dr. Jun Zeng
母公司共同创始人兼首席技术官、子公司执行总裁
简介:

英国威尔士大学电子工程学博士,在功率半导体领域有超过30年的研究开发经验。 发明了分井和双井功率MOS技术(Split-Well MOSFET, Dual-Well MOSFET, CS-IGBT);高密度分栅Trench MOS技术(Split-Gate Trench MOSFET),多项专利已转化成在市场上大受欢迎的产品。持有已审过或在送审的专利超过100篇。