英国威尔士大学电子工程学博士，在功率半导体领域有超过30年的研究和产品开发经验。在2018年第30届功率半导体器件和集成电路（ISPSD）国际研讨会上，因“为推动功率半导体技术做出贡献而入选IEEE名人堂”。 发明了横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)；WFET 和 Turbo-FET沟槽式金属氧化层硅晶半导体场效电晶体。其持有已审过或在送审的专利超过100篇。